BSR315PH6327XTSA1

功能描述:MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3

制造商:infineon technologies

系列:SIPMOS?

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET (Metal Oxide)

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):620mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 620mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 160μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):176pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):*

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:PG-SC-59

标准包装:1

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